静电放电发生器(HBM、MM部分) EDS系列

EDS 10IC 静电放电发生器针对人体模型(HBM)和机械模型(MM)的静电放电抗扰度试验的特点和要求专门设计,可以对 LED、晶体管、IC等半导体器件进行静电抗扰度的测试。符合IEC、ESDA、JEDEC和 MIL等相应标准的要求,同时完全满足上述所有标准中最严酷等级的静电电压要求。

  • 全新三代控制平台,触摸屏智能化控制。

  • 更低电压5V,1V步进精准调节电压。

  • 可完成单次或自动放电测试,可设置次数、频率等参数。

应用领域

  • 通讯

  • 材料

  • 半导体器件

  • 电气电子设备


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技术参数
HBM短路电流参数
放电电容100 pF
放电电阻1500Q
脉冲幅度5~8000V(5%±5V)
峰值电流Ips
0.17A±10%@250V

0.33A±10%@500V

0.67A±10%@1000V

1.33A±10%@2000V

2.67A±10%@4000V

5.33A±10%@8000 V
上升时间2 ns~10 ns
脉冲宽度150 ns+20 ns
振铃幅度<15%峰值电流
HBM 500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr
375 mA~550 mA@1000V

1.5A~2.2A@4000V

Ipr/lps
≥63%
上升时间5 ns~25 ns
MM短路电流参数
放电电容200 pF
放电电阻
脉冲幅度5~1000V(5%±5V)
峰值电流Ip1
0.44A±20%@25V

0.88A±20%@50V

1.75A±10%@100V

3.5A±10%@200 V

7.0 A±10%@400 V
Ip2/lp167%~90%
周期66 ns~90 ns
MM500欧电阻电流参数
峰值电流Ipr0.85A~1.2A@400V
100 ns电流值l1000.23A~0.40A@400V
200/l10030%~55%


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