联讯仪器 S3030F 结构紧凑、经济高效的单通道高电压、高功率电源/测量单元,能够同时输出和测量电压和电流, 能够提供更大±3500V、±120mA(直流)、180W 功率输出,能广泛的应用在功率半导体特性,GaN、SiC 表征,复合 材料,高压漏电流等测试和研究领域。
产品描述
联讯仪器 S3030F 结构紧凑、经济高效的单通道高电压、高功率电源/测量单元,能够同时输出和测量电压和电流, 能够提供更大±3500V、±120mA(直流)、180W 功率输出,能广泛的应用在功率半导体特性,GaN、SiC 表征,复合 材料,高压漏电流等测试和研究领域。S3030F 支持传统的 SMU SCPI 命令,让测试代码的迁移变得轻松快捷,可支持 多机同步,集成到生产测试系统中使用,以提高系统的测试效率并降低成本。
产品应用
联讯仪器S3030F 是专门针对高压电子和功率半导体器件的特征分析与测试而设计的,例如二极管、FET 和IGBT,以及其它一些需要高电压、快速响应和测量电压和电流的元器件和材料。
功率半导体器件特征分析与测试
GaN、SiC和其它一些复合材料与器件的特征分析

工作条件
温度23℃±5 °℃
湿度30%至70%相对湿度
预热60分钟后测量,测量时环境温度变化小于±3°℃
校准周期1年
测量速度1PLC;
电压源指标
| 电压设置精度 | 量程 | 设置分辨率 | 精度(1年)±(%读数+偏置) | 典型噪声(有效值)0.1 Hz-10Hz |
| ±3500V | 40 mV | 0.02%+600 mV | 50 mV | |
| ±2500V | 30 mV | 0.02%+450 mV | 40 mV | |
| ±1500V | 20 mV | 0.02%+300 mV | 25 mV | |
| ±600V | 7mV | 0.02%+120 mV | 10 mV | |
| ±200V | 3mV | 0.02%+40 mV | 3 mV | |
| 温度系数 | ±(0.15 x 精度指标)/℃ (0C-18C,28C-50C) | |||
| 设置时间 | <5ms(典型值) | |||
| 过冲 | <±1%(典型值,Normal,步进是范围的10% 至90%,满量程点,电阻性负载测试) | |||
| 噪声10Hz-20MHz | 1500V 电压源,120mA电阻负载,<200mVRMS | |||
环境指标
| 环境 | 在室内设施中使用 |
| 工作 | 0℃至+50℃,30%至70%相对湿度无冷凝 |
| 储存 | -30°℃至70℃,10%至90%相对湿度无冷凝 |
| 海拔 | 高度工作:0m 至2000m,储存:0m至4600m |
| 预热 | 1 小时 |
| 尺寸(mm) | 430*596*113(含脚垫、把手及旋钮) |
| 重量 | 净重23kg |